| TEST di autovalutazione |
| 1 |
 Nel circuito in figura, se iD = 0.4 mA e RD = 5 kΩ ,il MOSFET opera allora: |
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| A) | In regione di cutoff | ||
| B) | In regione di triodo | ||
| C) | In regione di saturazione | ||
| D) | I dati sono insufficienti per definire in maniera univoca la regione operativa del transistor | ||
| 2 |
 Nel circuito in figura, sapendo che il MOSFET opera in regione di saturazione, Vt = 0.7 V e la tensione di overdrive Vov = 0.5 V, la tensione sul source Vs è allora pari a: |
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| A) | 0 V | ||
| B) | (-)2.5 V | ||
| C) | (+)1.2 V | ||
| D) | (-)1.2 V | ||
| 3 |
 Nel circuito in figura, sapendo che Vt = 1 V, μnCox = 60 μA/V2, W/L = 120/3 μm e ID = 0.3 mA e VD = 0.4 V, RD è allora pari a: |
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| A) | 1 kΩ | ||
| B) | 5 kΩ | ||
| C) | 7 kΩ | ||
| D) | 10 kΩ | ||
| 4 |
 Nella configurazione circuitale in figura, l'NMOS opera: |
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| A) | In regione di cutoff | ||
| B) | In regione di triodo | ||
| C) | In regione di saturazione | ||
| D) | I dati sono insufficienti per definire in maniera univoca la regione operativa del transistor | ||
| 5 |
 Nel circuito in figura, se v = 10 V, la differenza di potenziale tra il gate e il source (vGS) dell'NMOS è pari a: |
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| A) | 0 V | ||
| B) | 10 V | ||
| C) | (-)10 V | ||
| D) | Dipende dal valore di i | ||
| 6 |
 Nel circuito in figura, se v = 10 V, la differenza di potenziale tra il gate e il source (vGS) del PMOS è pari a: |
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| A) | 0 V | ||
| B) | 10 V | ||
| C) | (-)10 V | ||
| D) | Dipende dal valore di i | ||
| 7 |
 Nel circuito in figura, ricordando che i = (1/2)*kn*(vGS - Vt )^2 e sapendo che v = 5 V, Vt = 1 V, kn = 1000 μA/V2, la resistenza equivalente R = v/i è allora pari a: |
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| A) | 1.5 kΩ | ||
| B) | 1.5 mΩ | ||
| C) | 2.5 kΩ | ||
| D) | 2.5 mΩ | ||
| 8 |
 Si consideri il circuito in figura. Sapendo che la tensione di soglia del MOSFET è pari a Vt = 1 V, il transisistor si trova allora in regione di: |
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| A) | Cutoff | ||
| B) | Triodo | ||
| C) | Saturazione | ||
| D) | I dati sono insufficienti per definire in maniera univoca la regione operativa del transistor | ||
| 9 |
 Si consideri il circuito in figura. Sapendo che la tensione di soglia del MOSFET è pari a Vt = 1 V, il transisistor si trova allora in regione di: |
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| A) | Cutoff | ||
| B) | Triodo | ||
| C) | Saturazione | ||
| D) | I dati sono insufficienti per definire in maniera univoca la regione operativa del transistor | ||
| 10 |
 Si consideri il circuito in figura. Sapendo che la corrente ID = 1 mA, la resistenza effettiva tra source e drain rDS è allora pari a: |
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| A) | 100 Ω | ||
| B) | 1000 Ω | ||
| C) | 500 Ω | ||
| D) | 5000 Ω | ||