| TEST di autovalutazione |
| TEST di autovalutazione |
| 1 | Un NMOS opera in regione di cutoff quando: | ||
| A) | La tensione sul gate vGS < |Vt| (tensione di soglia) | ||
| B) | La tensione sul gate vGS > |Vt| (tensione di soglia) | ||
| C) | La tensione sul gate vGS > |Vt| (tensione di soglia) e la tensione sul drain vDS >(vGS - |Vt|) | ||
| D) | La tensione sul gate vGS > |Vt| (tensione di soglia) e la tensione sul drain vDS < (vGS - |Vt|) | ||
| 2 | Un NMOS opera in regione di triodo quando: | ||
| A) | La tensione sul gate vGS < |Vt| (tensione di soglia) | ||
| B) | La tensione sul gate vGS > |Vt| (tensione di soglia) | ||
| C) | La tensione sul gate vGS > |Vt| (tensione di soglia) e la tensione sul drain vDS > (vGS - Vt) | ||
| D) | La tensione sul gate vGS > |Vt| (tensione di soglia) e la tensione sul drain vDS < (vGS - Vt) | ||
| 3 | Un NMOS opera in regione di saturazione quando: | ||
| A) | La tensione sul gate vGS < |Vt| (tensione di soglia) | ||
| B) | La tensione sul gate vGS > |Vt| (tensione di soglia) | ||
| C) | La tensione sul gate vGS > |Vt| (tensione di soglia) e la tensione sul drain vDS > (vGS - Vt) | ||
| D) | La tensione sul gate vGS > |Vt| (tensione di soglia) e la tensione sul drain vDS < (vGS - Vt) | ||
| 4 | In un NMOS, quando la differenza di potenziale tra gate e source vGS e la differenza di potenziale tra gate e drain vGD sono > |Vt|, il transistor opera: | ||
| A) | In regione di cutoff | ||
| B) | In regione di triodo | ||
| C) | In regione di saturazione | ||
| D) | La regione in cui opera dipende dalla tensione sul drain | ||
| 5 | Un PMOS opera in regione di cutoff quando: | ||
| A) | La tensione sul gate vSG < |Vt| (tensione di soglia) | ||
| B) | La tensione sul gate vSG > |Vt| (tensione di soglia) | ||
| C) | La tensione sul gate vSG > |Vt| (tensione di soglia) e la tensione sul drain vSD > (vSG - |Vt|) | ||
| D) | La tensione sul gate vSG > |Vt| (tensione di soglia) e la tensione sul drain vSD < (vSG - |Vt|) | ||
| 6 | Un PMOS opera in regione di triodo quando: | ||
| A) | La tensione sul gate vSG < |Vt| (tensione di soglia) | ||
| B) | La tensione sul gate vSG > |Vt| (tensione di soglia) | ||
| C) | La tensione sul gate vSG > |Vt| (tensione di soglia) e la tensione sul drain vSD > (vSG - |Vt|) | ||
| D) | La tensione sul gate vSG > |Vt| (tensione di soglia) e la tensione sul drain vSD < (vSG - |Vt|) | ||
| 7 | Un PMOS opera in regione di saturazione quando: | ||
| A) | La tensione sul gate vSG < |Vt| (tensione di soglia) | ||
| B) | La tensione sul gate vSG > |Vt| (tensione di soglia) | ||
| C) | La tensione sul gate vSG > |Vt| (tensione di soglia) e la tensione sul drain vSD > (vSG - |Vt|) | ||
| D) | La tensione sul gate vSG > |Vt| (tensione di soglia) e la tensione sul drain vSD < (vSG - |Vt|) | ||
| 8 | In un PMOS, quando la differenza di potenziale tra gate e source vGS e la differenza di potenziale tra drain e gate vDG sono > |Vt|, il transistor opera: | ||
| A) | In regione di cutoff | ||
| B) | In regione di triodo | ||
| C) | In regione di saturazione | ||
| D) | La regione in cui opera dipende dalla tensione sul drain | ||
| 9 | In un MOSFET, all'aumentare della temperatura T: | ||
| A) | La tensione di soglia Vt e la transconduttanza di processo k' aumentano, e di conseguenza aumenta la iD | ||
| B) | La tensione di soglia Vt e la transconduttanza di processo k' aumentano, e di conseguenza diminuisce la iD | ||
| C) | La tensione di soglia Vt e la transconduttanza di processo k' diminuiscono, e di conseguenza aumenta la iD | ||
| D) | La tensione di soglia Vt e la transconduttanza di processo k' diminuiscono, e di conseguenza diminuisce la iD | ||
| 10 | In un MOSFET, il fenomeno del punch-thought si verifica quando: | ||
| A) | La tensione sul gate diventa talemente elevata che da rompere l'isolante di ossido tra gate e substrato | ||
| B) | La tensione sul drain diventa talemente elevata che il canale di conduzione si accorcia e si avvicina alla regione di source | ||
| C) | La tensione sul drain diventa talemente elevata che il canale di conduzione si rastrema diventando nullo nella regione di drain | ||
| D) | La tensione sul drain diventa talemente elevata che la regione di svuotamento attorno al drain arriva sino alla regione di source | ||