| TEST di autovalutazione |
| 1 | Un PMOS possiede un substarto (body): | ||
| A) | Drogato di tipo p | ||
| B) | Drogato di tipo n | ||
| C) | Non drogato | ||
| D) | La cui tipologia di drogaggio dipende da come sono drogati il source e il drain | ||
| 2 | In un PMOS, percreare un canale di conduzione tra drain e source è necessario: | ||
| A) | Applicare una tensione positiva sul gate | ||
| B) | Applicare una tensione negativa sul gate | ||
| C) | Applicare una tensione positiva sul drain rispetto al source | ||
| D) | Applicare una tensione negativa sul drain rispetto al source | ||
| 3 | In un PMOS, una volta create le condizioni per la creazione di un canale di conduzione tra source e drain, affinché scorra una corrente iD nel transistor è necessario: | ||
| A) | Applicare una tensione positiva sul gate | ||
| B) | Applicare una tensione negativa sul gate | ||
| C) | Applicare una tensione positiva sul drain rispetto al source | ||
| D) | Applicare una tensione negativa sul drain rispetto al source | ||
| 4 | A parità di caratteristiche fisiche (i.e., dimensioni, materiali, etc.) un PMOS è generalmente meno performante di un NMOS perché: | ||
| A) | Le tensioni applicate sul source, drain e gate di un PMOS sono più basse rispetto a quelle che si applicano in un NMOS | ||
| B) | Le tensioni applicate sul source, drain e gate di un PMOS sono opposte rispetto a quelle che si applicano in un NMOS | ||
| C) | La mobilità delle lacune è più alta di quella degli elettroni | ||
| D) | La mobilità delle lacune è più bassa di quella degli elettroni | ||
| 5 | La tecnologia CMOS prevede: | ||
| A) | Che su di uno stesso substrato dielettrico vengano creati più NMOS | ||
| B) | Che su di uno stesso substrato dielettrico vengano creati più PMOS | ||
| C) | Che su di uno stesso substrato dielettrico vengano creati NMOS e PMOS assieme | ||
| D) | Che su di uno stesso substrato dielettrico venga creato un solo transistor | ||
| 6 | In un CMOS: | ||
| A) | Transistor di polarità opposta possiedono un substrato con medesima polarità | ||
| B) | Transistor di polarità opposta possiedono un substrato con polarità opposta | ||
| C) | Transistor di polarità opposta non possiedono un substrato | ||
| D) | Transistor di medesima polarità opposta non possiedono un substrato | ||
| 7 |
 Si considerino l'NMOS e il PMOS nella colonna di sinistra in Figura (a)-(b), rispettivamente. Affinché l'NMOS e il PMOS possano essere modellizzati come nei circuiti equivalenti della colonna di sinistra, è necessario che: |
||
| A) | Una tensione positiva elevata sia applicata ad entrambi i gate dei transistor | ||
| B) | Una tensione negativa elevata sia applicata ad entrambi i gate dei transistor | ||
| C) | Una tensione positiva elevata sia applicata al gate dell'NMOS e una negativa a quello del PMOS | ||
| D) | Una tensione negativa elevata sia applicata al gate dell'NMOS e una positiva a quello del PMOS | ||
| 8 |
 Il simbolo in Figura rappresenta: |
||
| A) | Dipende dalla tensione applicata sul source | ||
| B) | Un CMOS | ||
| C) | Un NMOS | ||
| D) | Un PMOS | ||
| 9 |
 Nel simbolo in Figura, il terminale di body: |
||
| A) | È a potenziale più alto del terminale di source | ||
| B) | È allo stesso potenziale del terminale di source | ||
| C) | È a potenziale più basso del terminale di source | ||
| D) | È a potenziale zero | ||
| 10 | Il simbolo circuitale di un NMOS, prevede che: | ||
| A) | Il verso della freccia sul source sia sempre uscente | ||
| B) | Il verso della freccia sul source sia sempre entrante | ||
| C) | Il verso della freccia sul drain sia sempre uscente | ||
| D) | Il verso della freccia sul drain sia sempre entrante | ||