TEST di autovalutazione |
TEST di autovalutazione |
1 | Nel caso in cui un NMOS voglia essere utilizzato come amplificatore di segnale: | ||
A) | Il transistor deve operare in regione di triodo e avere vDS > vGS | ||
B) | Il transistor deve operare in regione di triodo e avere vDS < vGS | ||
C) | Il transistor deve operare in regione di saturazione e avere vDS > vGS - Vt | ||
D) | Il transistor deve operare in regione di saturazione e avere vDS < vGS - Vt |
2 | Quando un MOSFET opera in regione di saturazione si comporta: | ||
A) | Come una sorgente di corrente controllata in tensione | ||
B) | Come una sorgente di corrente controllata in corrente | ||
C) | Come una sorgente di tensione controllata in tensione | ||
D) | Come una sorgente di tensione controllata in corrente |
3 | La rappresentazione circuitale equivalente di un MOSFET che opera in regione di saturazione prevede che la resistenza di ingresso (i.e., tra gate e source) sia: | ||
A) | Dipende dal valore di iD | ||
B) | Dipende dalla tensione sul gate | ||
C) | Zero | ||
D) | Infinita |
4 | In un NMOS, quando vDS aumenta e diventa maggiore di (vGS - Vt), il canale di conduzione: | ||
A) | Rimane inalterato | ||
B) | Diventa più profondo | ||
C) | Si allunga | ||
D) | Si accorcia |
5 | In un NMOS, quando vDS aumenta e diventa maggiore di (vGS - Vt), la corrente che scorre sul drain iD: | ||
A) | Rimane inalterata | ||
B) | Aumenta | ||
C) | Diminuisce | ||
D) | Diventa nulla |
6 | In un NMOS, quando vDS aumenta e diventa maggiore di (vGS - Vt), la resistenza di uscita vista dal drain del MOSFET r0: | ||
A) | È nulla | ||
B) | È infinita | ||
C) | È inversamente proporzionale alla corrente ID che scorre nel transistor senza tener conto della modulazione della lunghezza del canale | ||
D) | È direttamente proporzionale alla corrente ID che scorre nel transistor senza tener conto della modulazione della lunghezza del canale |
7 | In un MOSFET, la tensione di Early VA è pari circa a: | ||
A) | 5 - 50 nV | ||
B) | 5 - 50 μV | ||
C) | 5 - 50 mV | ||
D) | 5 - 50 V |
8 | In un MOSFET, quando il terminale di body è connesso al terminale di source: | ||
A) | La tensione sul substrato può alterare le caratteristiche del transistor | ||
B) | La tensione sul substrato non altera le caratteristiche del transistor | ||
C) | La tensione sul substrato può alterare le caratteristiche del transistor in base alla tensione applicata sul source | ||
D) | La tensione sul substrato può alterare le caratteristiche del transistor in base alla tensione applicata sul drain |
9 | In un MOSFET, quando la giunzione pn tra il body e il source è polarizzata inversamente: | ||
A) | La tensione sul substrato può alterare le caratteristiche del transistor | ||
B) | La tensione sul substrato non altera le caratteristiche del transistor | ||
C) | La tensione sul substrato può alterare le caratteristiche del transistor in base alla tensione applicata sul source | ||
D) | La tensione sul substrato può alterare le caratteristiche del transistor in base alla tensione applicata sul drain |
10 | In un MOSFET, incrementando la differenza di potenziale tra source e body si assiste: | ||
A) | A un decremento della |vDS| | ||
B) | A un incremento della |vDS| | ||
C) | A un decremento della |Vt| | ||
D) | A un incremento della |Vt| | ||