TEST di autovalutazione

1 Nel caso in cui un NMOS voglia essere utilizzato come amplificatore di segnale:
A) Il transistor deve operare in regione di triodo e avere vDS > vGS
B) Il transistor deve operare in regione di triodo e avere vDS < vGS
C) Il transistor deve operare in regione di saturazione e avere vDS > vGS - Vt
D) Il transistor deve operare in regione di saturazione e avere vDS < vGS - Vt

 

2 Quando un MOSFET opera in regione di saturazione si comporta:
A) Come una sorgente di corrente controllata in tensione
B) Come una sorgente di corrente controllata in corrente
C) Come una sorgente di tensione controllata in tensione
D) Come una sorgente di tensione controllata in corrente

 

3 La rappresentazione circuitale equivalente di un MOSFET che opera in regione di saturazione prevede che la resistenza di ingresso (i.e., tra gate e source) sia:
A) Dipende dal valore di iD
B) Dipende dalla tensione sul gate
C) Zero
D) Infinita

 

4 In un NMOS, quando vDS aumenta e diventa maggiore di (vGS - Vt), il canale di conduzione:
A) Rimane inalterato
B) Diventa più profondo
C) Si allunga
D) Si accorcia

 

5 In un NMOS, quando vDS aumenta e diventa maggiore di (vGS - Vt), la corrente che scorre sul drain iD:
A) Rimane inalterata
B) Aumenta
C) Diminuisce
D) Diventa nulla

 

6 In un NMOS, quando vDS aumenta e diventa maggiore di (vGS - Vt), la resistenza di uscita vista dal drain del MOSFET r0:
A) È nulla
B) È infinita
C) È inversamente proporzionale alla corrente ID che scorre nel transistor senza tener conto della modulazione della lunghezza del canale
D) È direttamente proporzionale alla corrente ID che scorre nel transistor senza tener conto della modulazione della lunghezza del canale

 

7 In un MOSFET, la tensione di Early VA è pari circa a:
A) 5 - 50 nV
B) 5 - 50 μV
C) 5 - 50 mV
D) 5 - 50 V

 

8 In un MOSFET, quando il terminale di body è connesso al terminale di source:
A) La tensione sul substrato può alterare le caratteristiche del transistor
B) La tensione sul substrato non altera le caratteristiche del transistor
C) La tensione sul substrato può alterare le caratteristiche del transistor in base alla tensione applicata sul source
D) La tensione sul substrato può alterare le caratteristiche del transistor in base alla tensione applicata sul drain

 

9 In un MOSFET, quando la giunzione pn tra il body e il source è polarizzata inversamente:
A) La tensione sul substrato può alterare le caratteristiche del transistor
B) La tensione sul substrato non altera le caratteristiche del transistor
C) La tensione sul substrato può alterare le caratteristiche del transistor in base alla tensione applicata sul source
D) La tensione sul substrato può alterare le caratteristiche del transistor in base alla tensione applicata sul drain

 

10 In un MOSFET, incrementando la differenza di potenziale tra source e body si assiste:
A) A un decremento della |vDS|
B) A un incremento della |vDS|
C) A un decremento della |Vt|
D) A un incremento della |Vt|