Stefano Vellucci
Caratteristica iD-vGS, resistenza di uscita ed Effetto body in un MOSFET
La lezione ha l’obiettivo di far comprendere allo studente in che modo la corrente che scorre sul drain di un MOSFET è influenzata dalla tensione applicata sul gate, introdurre il concetto di rimodulazione della lunghezza di canale in presenza di una elevata tensione sul drain e illustrare in che modo una tensione applicata sul substrato può influenzare le performance di un MOSFET. Nello specifico, al termine della lezione lo studente sarà in grado di rappresentare la caratteristica iD-vGS di un MOSFET, avrà compreso i motivi fisici per cui è possibile ridurre le dimensioni del canale di conduzione di un MOSFET.