| TEST di autovalutazione |
| TEST di autovalutazione |
| 1 | Il MOSFET è un dispositivo: | ||
| A) | A due terminali in cui il flusso di corrente può essere controllato | ||
| B) | A due terminali in cui il valore della tensione può essere controllato | ||
| C) | A tre terminali in cui il flusso di corrente tra due terminali può essere controlato da un terzo terminale | ||
| D) | Che si comporta sempre come un amplificatore | ||
| 2 | Il MOSFET oggigiorno è maggiormente utilizzato rispetto al BJT poiché: | ||
| A) | Ha costi di produzione più bassi | ||
| B) | Ha un processo di fabricazione più semplice | ||
| C) | Il suo principio di funzionamento è più noto | ||
| D) | È più integrabile all'interno di circuiti | ||
| 3 | Il primo MOSFET fu relaizzato presso i Laboratori Bell: | ||
| A) | Negli anni '30 | ||
| B) | Sul finire degli anni '40 | ||
| C) | Intorno al 1960 | ||
| D) | Agli inizi degli anni '80 | ||
| 4 | Il MOSFET è realizzato: | ||
| A) | Tramite due giunzioni pn | ||
| B) | A partire da un singolo cristallo di semiconduttore drogato di tipo p/n in cui sono presenti tre regioni fortemente drogate | ||
| C) | A partire da un singolo cristallo di semiconduttore drogato di tipo p/n in cui sono presenti due regioni fortemente drogate | ||
| D) | A partire da un singolo cristallo di semiconduttore drogato di tipo p/n in cui sono presenti due regioni fortemente drogate in maniera opposta | ||
| 5 | In un NMOS: | ||
| A) | La base è drogata di tipo p mentre la regione di source e drain sono drogate di tipo n | ||
| B) | La base è drogata di tipo n mentre la regione di source e drain sono drogate di tipo p | ||
| C) | La base e il source sono drogati di tipo p mentre la il drain è drogato di tipo n | ||
| D) | La base e il drain sono drogati di tipo p mentre la il source è drogato di tipo n | ||
| 6 | In un MOSFET il gate è separato dalla base: | ||
| A) | Dal source | ||
| B) | Dal drain | ||
| C) | Tramite un sottile strato di ossido | ||
| D) | Non sono separati | ||
| 7 | In un MOSFET con il gate posto a massa: | ||
| A) | Sono presenti due giunzioni pn contrapposte che consentono il passaggio di corrente | ||
| B) | Sono presenti due giunzioni pn contrapposte che non consentono il passaggio di corrente | ||
| C) | Si forma un canale che consente il passaggio di corrente da source a drain | ||
| D) | La resistenza misurabile tra source e drain è molto bassa | ||
| 8 | In un NMOS affinché possa scorrere corrente tra source e drain è necessario che: | ||
| A) | Si applicata una tensione postiva sul gate | ||
| B) | Si applicata una tensione negativa sul gate | ||
| C) | Il gate sia a tensione nulla | ||
| D) | Sia applicata una corrente sul gate | ||
| 9 | In un NMOS, applicando una tensione positiva sul gate: | ||
| A) | Non accade nulla | ||
| B) | Si crea un campo elettrico che attira le lacune dalla regione di base | ||
| C) | Si crea una regione di svoutamento tra source e drain grazie all'allontanamento delle lacune dalla regione di gate | ||
| D) | Si crea un canale di conduzione e inizia a scorrere una corrente tra source e drain | ||
| 10 | In un MOSFET la tensione di soglia Vt che consente la creazione del canale di conduzione è generalmente pari a: | ||
| A) | 25 mV | ||
| B) | 0 V | ||
| C) | 0.5 V | ||
| D) | 0.3-1 V | ||