TEST di autovalutazione

1 Affinché un BJT npn reale operi in regione attiva, la la differenza di potenziale ai capi della giunzione collettore-base deve essere:
A) VCB ≥ 0 V
B) VCB ≥ 0.4 V
C) VCB ≥ -0.4 V
D) VCB ≤ 0 V

 

2 Un BJT npn con la giunzione emettitore-base polarizzata direttamente entra in regione di staurazione quando:
A) VCB ≤ 0.4 V
B) VCB ≥ 0.4 V
C) VCB ≥ -0.4 V
D) VCB ≤ -0.4 V

 

3 In un BJT che opera in rgeione di saturazione la corrente di collettore iC:
A) È praticamente nulla
B) È molto elevata nulla
C) Può essere molto elevata
D) Il suo valore dipende fortemente dalla tensione vCB tra collettore e base

 

4 In un BJT npn polarizzato in modo tale da funzionare in regione attiva è possibile raggiungere il breakdown della giunzione CBJ del transistor quando:
A) VCB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno agli 0 V
B) VCB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno ai 8 V
C) VCB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno ai 50 V
D) VCB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno ai 1000 V

 

5 In un BJT npn polarizzato in modo tale da funzionare in regione attiva è possibile raggiungere il breakdown della giuznione EBJ transistor quando:
A) VEB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno agli 0 V
B) VEB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno ai 8 V
C) VEB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno ai 50 V
D) VEB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno ai 1000 V

 

6 Un transistor , di tipo npn o pnp,opera in regione attiva quando:
A) La giunzione emettitore-base è polarizzata direttamente e quella collettore-base direttamente
B) La giunzione emettitore-base è polarizzata direttamente e quella collettore-base inversamente
C) La giunzione emettitore-base è polarizzata inversamente e quella collettore-base inversamente
D) La giunzione emettitore-base è polarizzata inversamente e quella collettore-base direttamente

 

7 Affinché un transistor pnp reale operi in regione attiva:
A) La tensione tra emettitore e base vEB deve essere minore di 0.7 V e quella tra collettore e base vCB deve essere maggiore di 0.4 V
B) La tensione tra emettitore e base vEB deve essere minore di 0.4 V e quella tra collettore e base vCB deve essere maggiore di 0.7 V
C) La tensione tra emettitore e base vEB deve essere maggiore di 0.4 V e quella tra collettore e base vCB deve essere minore di 0.7 V
D) La tensione tra emettitore e base vEB deve essere maggiore di 0.7 V e quella tra collettore e base vCB deve essere minore di 0.4 V

 

8 In un transsitor BJT la corrente che scorre sul collettore varia esponenzialmente rispetto:
A) Alla temperatura
B) Alla tensione tra collettore ed emettitore
C) Alla tensione tra base ed emettitore
D) Alla tensione tra base e collettore

 

9 In un transsitor BJT la corrente che scorre sul collettore è legata alla corrente che scorre sulla base tramite:
A) Il parametro α
B) Il parametro β
C) La tensione tra base e collettore vCB
D) Nessuna relazione

 

10 In un transsitor BJT la corrente che scorre sul collettore è legata alla corrente che scorre sull'emettitore tramite:
A) Il parametro α
B) Il parametro β
C) La tensione tra base ed emettitore vBE
D) Nessuna relazione