TEST di autovalutazione |
TEST di autovalutazione |
1 | Affinché un BJT npn reale operi in regione attiva, la la differenza di potenziale ai capi della giunzione collettore-base deve essere: | ||
A) | VCB ≥ 0 V | ||
B) | VCB ≥ 0.4 V | ||
C) | VCB ≥ -0.4 V | ||
D) | VCB ≤ 0 V |
2 | Un BJT npn con la giunzione emettitore-base polarizzata direttamente entra in regione di staurazione quando: | ||
A) | VCB ≤ 0.4 V | ||
B) | VCB ≥ 0.4 V | ||
C) | VCB ≥ -0.4 V | ||
D) | VCB ≤ -0.4 V |
3 | In un BJT che opera in rgeione di saturazione la corrente di collettore iC: | ||
A) | È praticamente nulla | ||
B) | È molto elevata nulla | ||
C) | Può essere molto elevata | ||
D) | Il suo valore dipende fortemente dalla tensione vCB tra collettore e base |
4 | In un BJT npn polarizzato in modo tale da funzionare in regione attiva è possibile raggiungere il breakdown della giunzione CBJ del transistor quando: | ||
A) | VCB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno agli 0 V | ||
B) | VCB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno ai 8 V | ||
C) | VCB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno ai 50 V | ||
D) | VCB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno ai 1000 V |
5 | In un BJT npn polarizzato in modo tale da funzionare in regione attiva è possibile raggiungere il breakdown della giuznione EBJ transistor quando: | ||
A) | VEB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno agli 0 V | ||
B) | VEB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno ai 8 V | ||
C) | VEB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno ai 50 V | ||
D) | VEB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno ai 1000 V |
6 | Un transistor , di tipo npn o pnp,opera in regione attiva quando: | ||
A) | La giunzione emettitore-base è polarizzata direttamente e quella collettore-base direttamente | ||
B) | La giunzione emettitore-base è polarizzata direttamente e quella collettore-base inversamente | ||
C) | La giunzione emettitore-base è polarizzata inversamente e quella collettore-base inversamente | ||
D) | La giunzione emettitore-base è polarizzata inversamente e quella collettore-base direttamente |
7 | Affinché un transistor pnp reale operi in regione attiva: | ||
A) | La tensione tra emettitore e base vEB deve essere minore di 0.7 V e quella tra collettore e base vCB deve essere maggiore di 0.4 V | ||
B) | La tensione tra emettitore e base vEB deve essere minore di 0.4 V e quella tra collettore e base vCB deve essere maggiore di 0.7 V | ||
C) | La tensione tra emettitore e base vEB deve essere maggiore di 0.4 V e quella tra collettore e base vCB deve essere minore di 0.7 V | ||
D) | La tensione tra emettitore e base vEB deve essere maggiore di 0.7 V e quella tra collettore e base vCB deve essere minore di 0.4 V |
8 | In un transsitor BJT la corrente che scorre sul collettore varia esponenzialmente rispetto: | ||
A) | Alla temperatura | ||
B) | Alla tensione tra collettore ed emettitore | ||
C) | Alla tensione tra base ed emettitore | ||
D) | Alla tensione tra base e collettore |
9 | In un transsitor BJT la corrente che scorre sul collettore è legata alla corrente che scorre sulla base tramite: | ||
A) | Il parametro α | ||
B) | Il parametro β | ||
C) | La tensione tra base e collettore vCB | ||
D) | Nessuna relazione |
10 | In un transsitor BJT la corrente che scorre sul collettore è legata alla corrente che scorre sull'emettitore tramite: | ||
A) | Il parametro α | ||
B) | Il parametro β | ||
C) | La tensione tra base ed emettitore vBE | ||
D) | Nessuna relazione | ||