TEST di autovalutazione

1 In un transistor di tipo pnp:
A) Nella regione di emettitore e nella base le cariche maggioriatirie sono lacune, mentre sono elettroni nel collettore
B) Nella regione di emettitore e nel collettore le cariche maggioriatirie sono lacune, mentre sono elettroni nella base
C) Nella regione di collettore e nella base le cariche maggioriatirie sono lacune, mentre sono elettroni nell'emettitore
D) Nella regione di emettitore e nella base le cariche maggioriatirie sono elettroni, mentre sono lacune nel collettore

 

2 Un transistor di tipo pnp opera in regione attiva quando:
A) VEB >0 e vBC ≥ 0
B) VBE >0 e vCB ≥ 0
C) VCE >0 e vBC ≥ 0
D) VEB >0 e vEC ≥ 0

 

3 Un transistor di tipo pnp che opera nella regione attiva la corrente che scorre attraverso il transistor è dovuta principalmente:
A) Agli elettroni che si spostano dal collettore all'emettitore attraverso la regione di base
B) Alle lacune che si spostano dal collettore all'emettitore attraverso la regione di base
C) Agli elettroni che si spostano dall'emettotore al collettore attraverso la regione di base
D) Alle lacune che si spostano dall'emettotore al collettore attraverso la regione di base

 

4 Nel simbolo circuitale di un BJT pnp il verso della corrente è:
A) Uscente al collettore
B) Entrante al collettore
C) Uscente all'emettitore
D) Entrante all'emettitore

 

5 In un transistor pnp che opera in regione attiva la corrente è:
A) Nulla
B) Entrante al collettore
C) Uscente dalla base
D) Uscente dall'emettitore

 

6 In un transistor reale, la sezione della regione:
A) Di collettore è maggiore di quella di emettitore
B) Di collettore è minore di quella di emettitore
C) Di base è minore di quella di emettitore
D) Di emettitore è uguale a quella di collettore e base

 

7 In un BJT npn la cartatteristica ic-v BE è graficamente:
A) Costante
B) Pari a zero
C) Simile a quella di un diodo che opera in polarizzazione diretta
D) Simile a quella di un diodo che opera in polarizzazione inversa

 

8 In un transistor npn reale la corrente di collettore iC:
A) Cresce leggermente all'aumentare di vCE
B) Cresce leggermente all'aumentare di vEC
C) Cresce leggermente all'aumentare di vBE
D) Cresce leggermente all'aumentare di vEB

 

9 Un transistor in configurazione detta ad emettitore comune:
A) Ha il collettore connesso direttamente a massa
B) Ha la base connessa direttamente a massa
C) Ha l'emettitore connesso direttamente a massa
D) Ha l'emettitore connesso direttamente alla base e al collettore

 

10 In un BJT npn la dipendenza della iC dalla tensione vCE è dovuta al fatto che:
A) Al diminuire di vCE si riduce la larghezza efficace della base W e la corrente ic aumenta
B) Al crescere di vCE diminuisce la corrente di saturazione IS e aumenta la iC
C) Al crescere di vCE cresce la tensione di polarizzazione inversa e diminuisce l'ampiezza della regione di svuotamento della giunzionae base-collettore ed aumenta conseguentemente la corrente di saturazione IS
D) Al crescere di vCE si riduce la larghezza efficace della base W e la corrente di saturazione IS aumenta