TEST di autovalutazione |
TEST di autovalutazione |
1 | In un transistor di tipo pnp: | ||
A) | Nella regione di emettitore e nella base le cariche maggioriatirie sono lacune, mentre sono elettroni nel collettore | ||
B) | Nella regione di emettitore e nel collettore le cariche maggioriatirie sono lacune, mentre sono elettroni nella base | ||
C) | Nella regione di collettore e nella base le cariche maggioriatirie sono lacune, mentre sono elettroni nell'emettitore | ||
D) | Nella regione di emettitore e nella base le cariche maggioriatirie sono elettroni, mentre sono lacune nel collettore |
2 | Un transistor di tipo pnp opera in regione attiva quando: | ||
A) | VEB >0 e vBC ≥ 0 | ||
B) | VBE >0 e vCB ≥ 0 | ||
C) | VCE >0 e vBC ≥ 0 | ||
D) | VEB >0 e vEC ≥ 0 |
3 | Un transistor di tipo pnp che opera nella regione attiva la corrente che scorre attraverso il transistor è dovuta principalmente: | ||
A) | Agli elettroni che si spostano dal collettore all'emettitore attraverso la regione di base | ||
B) | Alle lacune che si spostano dal collettore all'emettitore attraverso la regione di base | ||
C) | Agli elettroni che si spostano dall'emettotore al collettore attraverso la regione di base | ||
D) | Alle lacune che si spostano dall'emettotore al collettore attraverso la regione di base |
4 | Nel simbolo circuitale di un BJT pnp il verso della corrente è: | ||
A) | Uscente al collettore | ||
B) | Entrante al collettore | ||
C) | Uscente all'emettitore | ||
D) | Entrante all'emettitore |
5 | In un transistor pnp che opera in regione attiva la corrente è: | ||
A) | Nulla | ||
B) | Entrante al collettore | ||
C) | Uscente dalla base | ||
D) | Uscente dall'emettitore |
6 | In un transistor reale, la sezione della regione: | ||
A) | Di collettore è maggiore di quella di emettitore | ||
B) | Di collettore è minore di quella di emettitore | ||
C) | Di base è minore di quella di emettitore | ||
D) | Di emettitore è uguale a quella di collettore e base |
7 | In un BJT npn la cartatteristica ic-v BE è graficamente: | ||
A) | Costante | ||
B) | Pari a zero | ||
C) | Simile a quella di un diodo che opera in polarizzazione diretta | ||
D) | Simile a quella di un diodo che opera in polarizzazione inversa |
8 | In un transistor npn reale la corrente di collettore iC: | ||
A) | Cresce leggermente all'aumentare di vCE | ||
B) | Cresce leggermente all'aumentare di vEC | ||
C) | Cresce leggermente all'aumentare di vBE | ||
D) | Cresce leggermente all'aumentare di vEB |
9 | Un transistor in configurazione detta ad emettitore comune: | ||
A) | Ha il collettore connesso direttamente a massa | ||
B) | Ha la base connessa direttamente a massa | ||
C) | Ha l'emettitore connesso direttamente a massa | ||
D) | Ha l'emettitore connesso direttamente alla base e al collettore |
10 | In un BJT npn la dipendenza della iC dalla tensione vCE è dovuta al fatto che: | ||
A) | Al diminuire di vCE si riduce la larghezza efficace della base W e la corrente ic aumenta | ||
B) | Al crescere di vCE diminuisce la corrente di saturazione IS e aumenta la iC | ||
C) | Al crescere di vCE cresce la tensione di polarizzazione inversa e diminuisce l'ampiezza della regione di svuotamento della giunzionae base-collettore ed aumenta conseguentemente la corrente di saturazione IS | ||
D) | Al crescere di vCE si riduce la larghezza efficace della base W e la corrente di saturazione IS aumenta | ||