TEST di autovalutazione |
TEST di autovalutazione |
1 | Il BJT è un dispositivo: | ||
A) | A due terminali in cui il flusso di corrente può essere controllato | ||
B) | A due terminali in cui il valore della tensione può essere controllato | ||
C) | A tre terminali in cui il flusso di corrente tra due terminali può essere controlato da un terzo terminale | ||
D) | Che si comporta sempre come un amplificatore |
2 | Il tprimo transistor progettato nel 1948 nei Laboratori Bell era un BJT e non un MOSFET poiché: | ||
A) | Realizzare un BJT era meno costoso | ||
B) | Il BJT era più semplice da realizzare | ||
C) | Il MOSFET non si conosceva | ||
D) | Il BJT era più piccolo |
3 | Il BJT è realizzato: | ||
A) | Tramite una singola giunzione pn | ||
B) | Tramite due giunzioni pn | ||
C) | Tramite tre giunzioni pn | ||
D) | Senza alcuna giunzione pn |
4 | In un BJT pnp: | ||
A) | Le regioni di collettore e base sono drogate di tipo n mentre la regione di emettitore è drogota di tipo p | ||
B) | Le regioni di collettore e base sono drogate di tipo p mentre la regione di emettitore è drogota di tipo n | ||
C) | Le regioni di collettore e emettitore sono drogate di tipo n mentre la regione di base è drogota di tipo p | ||
D) | Le regioni di collettore e emettitore sono drogate di tipo p mentre la regione di base è drogota di tipo n |
5 | Un BJT npn funziona nella regione attiva quando: | ||
A) | L'emettitore è a potenziale più basso rispetto alla base la quale è a potenziale più alto rispetto al collettore | ||
B) | L'emettitore è a potenziale più basso rispetto alla base la quale è a potenziale più basso rispetto al collettore | ||
C) | L'emettitore è a potenziale più alto rispetto alla base la quale è a potenziale più alto rispetto al collettore | ||
D) | L'emettitore è a potenziale più alto rispetto alla base la quale è a potenziale più basso rispetto al collettore |
6 | In un BJT npn nella regione attiva: | ||
A) | Le cariche maggioritarie dell'emettitore fluiscono nella base | ||
B) | Le cariche minoritarie dell'emettitore fluiscono nella base | ||
C) | Le cariche maggioritarie del collettore fluiscono nella base | ||
D) | Gli elettroni si ricombinano con le cariche minoritarie della base |
7 | In un BJT npn nella regione attiva le cariche minoritarie nella base, dal bordo della giunzione base-emettitore: | ||
A) | Si ricombinano tutte con le cariche maggioritarie | ||
B) | Si spostano verso il collettore per la presenza del campo elettrico | ||
C) | Si diffondono verso l'emettitore | ||
D) | Si diffondono vero il collettore |
8 | In un BJT, la corrente di collettore ic dipende da: | ||
A) | Non dipende da alcuna differenza di potenziale tra emettitore, collettore o base | ||
B) | La differenza di potenzale tra il collettore e l'emettitore | ||
C) | La differenza di potenzale tra la base e il collettore | ||
D) | La differenza di potenzale tra la base e l'emettitore |
9 | In un BJT, la corrente di base iB è dovuta a: | ||
A) | Il flusso di portatori dalla base all'emettitore | ||
B) | La ricombinazione di cariche minoritarie con le maggioritarie nella base | ||
C) | La ricombinazione di cariche minoritarie con le maggioritarie nella base e al flusso di portatori dalla base all'emettitore | ||
D) | Il flusso di cariche maggioritarie dalla base verso il circuito esterno |
10 | In un BJT, la corrente di emettitore iE: | ||
A) | Non dipende dalla corrente di base | ||
B) | Non dipende dalla corrente di collettore | ||
C) | È praticamente uguale alla corrente di collettore | ||
D) | È praticamente uguale alla corrente di base | ||