| TEST di autovalutazione |
| 1 | La corrente di drift si sviluppa in un semiconduttore quando: | ||
| A) | Quando, a causa di una distribuzione non uniforme delle cariche libere, queste si ridistribuiscono | ||
| B) | Quando, a causa di una distribuzione uniforme delle cariche libere, queste si ridiffondono | ||
| C) | Viene applicato un campo elettrico E esterno al semiconduttore | ||
| D) | Viene applicato un campo magnetico H esterno al semiconduttore | ||
| 2 | In presenza di un campo elettrico E esterno ad un semiconduttore, le lacune si spostano: | ||
| A) | Indipendentemente dal verso del campo E | ||
| B) | In un verso che dipende dal verso di propagazione degli elettroni | ||
| C) | Nello stesso verso rispetto ad E | ||
| D) | Nello verso opposto rispetto ad E | ||
| 3 | La mobilità μe degi elettroni in un semiconduttore ripsetto alla mobilità μp delle lacune è: | ||
| A) | Uguale a quella delle lacune | ||
| B) | Più bassa e pari circa a 0.5 volte quella delle lacune | ||
| C) | Più grande e pari circa a 5 volte quella delle lacune | ||
| D) | Più grande e pari circa a 2.5 volte quella delle lacune | ||
| 4 | In un semiconduttore in presenza di una distribuzione di cariche libere non uniforme, le cariche tendono a ridistribuirsi: | ||
| A) | Dalla zona a piùbassa concentrazione a quella a più alta concentrazione | ||
| B) | Dalla zona a più alta concentrazione a quella a più bassa concentrazione | ||
| C) | Dal lato drogato di tipo p a quello drogato di tipo n | ||
| D) | Dal lato drogato di tipo n a quello drogato di tipo p | ||
| 5 | La corrente di diffusione associata alle lacune in un semiconduttore è pari a: | ||
| A) |  |
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| B) |  |
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| C) |  |
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| D) |  |
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| 6 | La mobilità μ e la costante diffusione D sono legate dalla relazione di Einstein come: | ||
| A) |  |
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| B) |  |
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| C) |  |
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| D) |  |
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| 7 | Una giunzione pn può essere creata: | ||
| A) | Utilizzando solamente del silicio intrinseco | ||
| B) | Utilizzando solamente del silicio drogato di tipo p | ||
| C) | Utilizzando solamente del silicio drogato di tipo n | ||
| D) | Utilizzando del silicio drogato di tipo p e n | ||
| 8 | In una giunzione pn: | ||
| A) | Le cariche minoritarie generano una corrente di diffusione e di drift | ||
| B) | Le cariche maggioritarie generano una corrente di diffusione e di drift | ||
| C) | Le cariche maggioritarie generano una corrente di diffusione mentre le minoritarie una corrente di drift | ||
| D) | Le cariche maggioritarie generano una corrente di drift mentre le minoritarie una corrente di diffusione | ||
| 9 | In una giunzione pn di dilicio la barriera di potenziale V0 può variare tra: | ||
| A) | 0.6 V - 0.9 V | ||
| B) | 6 V -9 V | ||
| C) | 0 V - 0.7 V | ||
| D) | È pari a zero | ||
| 10 | In una giunzione pn, all'aumentare della corrente di diffusione: | ||
| A) | Il flusso di cariche maggioritarie aumenta | ||
| B) | La barriera di potenziale diminuisce | ||
| C) | La regione di svuotamento si allarga | ||
| D) | La regione di svuotamento si restringe | ||