TEST di autovalutazione |
TEST di autovalutazione |
1 | Il parametro fisico che consente di discriminare un materiale in conduttore, isolante, semiconduttore è: | ||
A) | La capacità elettrica C | ||
B) | La resistività σ | ||
C) | L'induttanza L | ||
D) | La resistività ρ |
2 | Il diamante è un ottimo: | ||
A) | Conduttore | ||
B) | Semiconduttore | ||
C) | Iosolante | ||
D) | Metallo |
3 | Il silicio possiede un numero di elettroni di valenza pari a: | ||
A) | 4 | ||
B) | 3 | ||
C) | 6 | ||
D) | 5 |
4 | Nella fisisca dei semiconduttori, per lacuna si intende: | ||
A) | Un elettrone | ||
B) | Una carica fittizzia generata dalla presenza di un elettrone | ||
C) | Un positrone | ||
D) | Una carica fittizzia generata dall'assenza di un elettrone |
5 | In un semiconduttore intrinseco posto 0 K: | ||
A) | Possono esistere lacune | ||
B) | Non esistono lacune | ||
C) | Possono esistere elettroni liberi | ||
D) | Il semiconduttore non ha carica neutra |
6 | In un semiconduttore intrinseco posto a temperatura T>0 K, può verificarsi lo spostamento di cariche positive grazie: | ||
A) | Al processo ripetuto di ricombinazione di elettroni e lacune | ||
B) | Alla capacità delle lacune di muoversi liberamente nel semiconduttore | ||
C) | Alla capacità degli elettroni di generare una corrente | ||
D) | Al processo di drogaggio |
7 | La concentrazione intrinseca ni di un semiconduttore indica: | ||
A) | Il numero di atomi impuri per unità di volume (cm3) nel silicio ad una data temperatura T | ||
B) | Il numero di elettroni liberi e delle lacune | ||
C) | Il numero di elettroni liberi e delle lacune per unità di volume (cm3) nel silicio intrinseco ad una data temperatura T | ||
D) | Il numero di elettroni liberi e delle lacune per unità di volume (cm3) nel silicio intrinseco a zero K |
8 | L'energia della banda proibita Eg di un semiconduttore, rappresenta: | ||
A) | L’energia minima necessaria di drogaggio di un semiconduttore | ||
B) | L’energia minima necessaria alla rottura di un legame covalente | ||
C) | L’energia minima per la ricombinazione lacuna-elettrone | ||
D) | L’energia minima per spezzare un semiconduttore |
9 | Un cristallo di silicio drogato di tipo p: | ||
A) | Potrebbe essere stato drogato con atomi di fosforo | ||
B) | Potrebbe essere stato drogato con atomi di arsenico | ||
C) | Potrebbe essere stato drogato con atomi di boro | ||
D) | È un cristallo di silicio intrinseco |
10 | In un semiconduttore drogato la concentrazione delle cariche maggioritarie: | ||
A) | Dipende dal tipo di semiconduttore | ||
B) | Dipende dal tipo di drogaggio, se di tipo n o p. | ||
C) | Dipende dalla temperatura | ||
D) | Non dipende dalla temperatura | ||